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正畸的副作用:牙釉質(zhì)脫礦和牙釉質(zhì)滲透

2019-07-30 來源:中國醫(yī)學(xué)論壇報今日口腔  標簽: 掌上醫(yī)生 喝茶減肥 一天瘦一斤 安全減肥 cps聯(lián)盟 美容護膚
摘要:白斑的發(fā)生率高達59% (Gorelick et al.1982)??谇恍l(wèi)生差導(dǎo)致的釉質(zhì)改變,是碳水化合物和唾液調(diào)節(jié)下的細菌感染結(jié)果。釉質(zhì)脫礦和再礦化的平衡被打破(Chang et al. 1997)。

正畸固定矯治器可能會產(chǎn)生一些副作用,包括牙釉質(zhì)脫礦、白斑,還有附著喪失、釉質(zhì)磨損、釉質(zhì)折裂和正畸引起的牙根吸收等。釉質(zhì)脫礦是青少年患者的臨床治療問題,而附著喪失則是成人不希望出現(xiàn)的正畸副作用。采取一些針對性的措施,可以減少或避免這些副作用的發(fā)生。

牙釉質(zhì)脫礦

正畸治療很容易引起菌斑堆積。正畸矯治器削弱了牙齒利用舌肌、頰肌和唾液的自潔功能(Zimmer and Rottwinkel 2004)。同時,由于牙刷在口腔內(nèi)的移動空間受到各種固定裝置的限制,人工清潔難度也因此提高。菌斑在牙面堆積,很大程度上增加了致齲菌如鏈球菌和乳酸菌的數(shù)量(Rosenbloom and Tinanoff 1991)。菌斑長時間滯留在牙齒上,從而引起釉質(zhì)脫礦。

白斑的發(fā)生率高達59% (Gorelick et al.1982)??谇恍l(wèi)生差導(dǎo)致的釉質(zhì)改變,是碳水化合物和唾液調(diào)節(jié)下的細菌感染結(jié)果。釉質(zhì)脫礦和再礦化的平衡被打破(Chang et al. 1997)。脫礦和再礦化的時間取決于口內(nèi)環(huán)境、菌斑在牙釉質(zhì)表面積累和滯留的時間、個人口腔衛(wèi)生狀況和患者的抵抗力(Chang et al. 1997)?;颊咴谡委熤忻摰V和鄰面齲的風(fēng)險高(圖2),嚴重時可以短時間內(nèi)(1個月)發(fā)生(Gorelick et al. 1982)。白斑好發(fā)于上頜側(cè)切牙的唇面齦方,其次好發(fā)于上下頜前磨牙和尖牙。從分區(qū)角度來說,好發(fā)牙位為上頜切牙區(qū)和下頜后牙區(qū)(Gorelick et al. 1982)。

牙釉質(zhì)滲透

牙釉質(zhì)滲透托槽在牙齒表面正確定位,是直絲弓技術(shù)上轉(zhuǎn)矩、軸傾度和內(nèi)外展區(qū)等內(nèi)置數(shù)據(jù)得到表達的前提條件。托槽的精確定位十分困難,因為托槽通常很小,有些材料如陶瓷和纖維加強樹脂等與牙齒顏色又很接近。為了更好地定位托槽,可以使用輔助標記工具(Hablützel 1976;Muchitsch et al. 1989)。

托槽的精確位置,在處理好的釉質(zhì)上用鉛筆標記來確定。這樣做的風(fēng)險是,鉛顆??赡軙M入釉質(zhì)深層,超過拆除矯治器后拋光能夠去除50 μm深度(Wichelhaus et al. 1996;Ryfet al. 2011)。臨床上,標記顆??赡芡ㄟ^微孔或釉質(zhì)缺損進入更深的層面,因此,臨床上應(yīng)避免使用鉛筆進行托槽定位標記(Silverstone et al. 1995;Diedrich 1981; Petrin 1981)。

如果口腔衛(wèi)生很好,臨床上可以避免釉質(zhì)脫礦。在正畸治療前,可以用通用指數(shù)對患者進行量化評估,例如鄰面菌斑指數(shù)(Approximal plague index,API)和齦溝出血指數(shù)(Sulcus bleeding index,SBI)(Lange et al.1977)。全面的口腔檢查也能了解患者的齲活躍度。但正畸治療時仍需要注意,固定正畸時尤其是早期口腔衛(wèi)生會明顯變差。即使治療前口腔衛(wèi)生良好的患者,開始正畸后口腔衛(wèi)生情況也會變差。因此正畸治療中必須一直關(guān)注口腔衛(wèi)生。根據(jù)研究,正畸療程的前3 個月具有決定性作用。個別患者,尤其是處于青春期的青少年,口腔衛(wèi)生很差。為了保護牙體硬組織,同時出于生物力學(xué)和生物學(xué)的考慮,建議進行專業(yè)潔治。高風(fēng)險患者可以涂氟或交替使用氯己定(Geiger et al. 1988;Jenatschke et al. 2001;?gaard et al. 2001, 1997)。

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